SIUD401ED-T1-GE3

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 0806
Número do produto base	SIUD401
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.573Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 0806
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	33 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	1.25W (Ta)
Outros nomes	SIUD401ED-T1-GE3CT SIUD401ED-T1-GE3TR SIUD401ED-T1-GE3DKR

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