BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2282427-BSZ100N06NSATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSZ100N06NSATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 40A (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TSDSON-8-FL | |
| Número do produto base | BSZ100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 40A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 14µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1075 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.1W (Ta), 36W (Tc) | |
| Outros nomes | BSZ100N06NSATMA1TR SP001067006 BSZ100N06NSATMA1CT BSZ100N06NSATMA1DKR BSZ100N06NSATMA1-ND |
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