SI7615DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Número da pe?a NOVA:
312-2278822-SI7615DN-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI7615DN-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número do produto base | SI7615 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 183 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±12V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | |
| Outros nomes | SI7615DN-T1-GE3CT SI7615DN-T1-GE3DKR SI7615DNT1GE3 SI7615DN-T1-GE3TR SI7615DN-T1-GE3-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI7615ADN-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7625DN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7655ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
SI7111EDN-T1-GE3Vishay Siliconix
TCN4477M016R0100Kyocera AVX- SI7629DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SISA35DN-T1-GE3Vishay Siliconix
