TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
Número da pe?a NOVA:
312-2292154-TK32E12N1,S1X
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK32E12N1,S1X
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 | |
| Número do produto base | TK32E12 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 120 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 60 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 98W (Tc) | |
| Outros nomes | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
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