TN5335K1-G
MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2287998-TN5335K1-G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TN5335K1-G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23 (TO-236AB) | |
| Número do produto base | TN5335 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 110mA (Tj) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 350 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Outros nomes | TN5335K1-GTR TN5335K1-GCT TN5335K1-GDKR TN5335K1-G-ND |
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