IXTN120P20T
MOSFET P-CH 200V 106A SOT227B
Número da pe?a NOVA:
312-2279144-IXTN120P20T
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTN120P20T
Embalagem padr?o:
10
Ficha técnica:
P-Channel 200 V 106A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
| Número do produto base | IXTN120 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchP™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 106A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 740 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Máx.) | ±15V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 73000 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 830W (Tc) |
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