RW1E025RPT2CR
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Número da pe?a NOVA:
312-2275709-RW1E025RPT2CR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RW1E025RPT2CR
Embalagem padr?o:
8,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WEMT | |
| Número do produto base | RW1E025 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-SMD, Flat Leads | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 480 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Outros nomes | RW1E025RPT2CRCT RW1E025RPT2CRDKR RW1E025RPT2CRTR |
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