IRF830PBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2263627-IRF830PBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF830PBF

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	IRF830
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	500 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	610 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	74W (Tc)
Outros nomes	*IRF830PBF