SSM3J35CT,L3F
MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3
Número da pe?a NOVA:
312-2289985-SSM3J35CT,L3F
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SSM3J35CT,L3F
Embalagem padr?o:
10,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | CST3 | |
| Número do produto base | SSM3J35 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | π-MOSVI | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±10V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12.2 pF @ 3 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 100mW (Ta) | |
| Outros nomes | SSM3J35CT,L3F(T SSM3J35CT,L3F(B SSM3J35CTL3FCT SSM3J35CTL3F(T SSM3J35CTL3FDKR SSM3J35CTL3FTR SSM3J35CTL3F SSM3J35CTL3F(B SSM3J35CT,L3FTR |
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