RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Número da pe?a NOVA:
312-2285623-RQ3E075ATTB
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ3E075ATTB
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Número do produto base | RQ3E075 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 15W (Tc) | |
| Outros nomes | RQ3E075ATTBDKR RQ3E075ATTBCT RQ3E075ATTBTR |
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