BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2296999-BSC010NE2LSIATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC010NE2LSIATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | - | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Número do produto base | BSC010 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC010NE2LSIATMA1DKR BSC010NE2LSIDKR BSC010NE2LSIATMA1TR BSC010NE2LSICT-ND BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1CT BSC010NE2LSIDKR-ND BSC010NE2LSITR-ND BSC010NE2LSI-ND SP000854376 BSC010NE2LSICT |
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