NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2299368-NTLJS3113PT1G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTLJS3113PT1G
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-WDFN (2x2) | |
| Número do produto base | NTLJS3113 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | µCool™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1329 pF @ 16 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Outros nomes | =NTLJS3113PT1GOSCT-ND NTLJS3113PT1GOSTR NTLJS3113PT1GOSCT 2156-NTLJS3113PT1G-OS NTLJS3113PT1GOSDKR NTLJS3113PT1G-ND ONSONSNTLJS3113PT1G |
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