BSC190N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Número da pe?a NOVA:
312-2280500-BSC190N15NS3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC190N15NS3GATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número do produto base | BSC190 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2420 pF @ 75 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC190N15NS3GATMA1TR BSC190N15NS3G BSC190N15NS3 GCT BSC190N15NS3GATMA1DKR BSC190N15NS3GATMA1DKR-NDTR-ND SP000416636 BSC190N15NS3 G-ND BSC190N15NS3 GDKR BSC190N15NS3 G BSC190N15NS3GATMA1CT BSC190N15NS3 GDKR-ND BSC190N15NS3 GCT-ND BSC190N15NS3 GTR BSC190N15NS3 GTR-ND BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND |
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