TK33S10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2304361-TK33S10N1L,LQ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TK33S10N1L,LQ
Embalagem padr?o:
2,000
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 175°C | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK+ | |
| Número do produto base | TK33S10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 33A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 16.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 500µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) | |
| Outros nomes | 264-TK33S10N1LLQTR |
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