SI4455DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2288076-SI4455DY-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4455DY-T1-GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
P-Channel 150 V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI4455 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295mOhm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1190 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5.9W (Tc) | |
| Outros nomes | SI4455DY-T1-GE3TR SI4455DY-T1-GE3-ND SI4455DY-T1-GE3DKR SI4455DY-T1-GE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI4455DY-T1-E3Vishay Siliconix
AD8606ARZ-REELAnalog Devices Inc.
FDMC86259Ponsemi
REF2025AISDDCRTexas Instruments
MMBT5551-7-FDiodes Incorporated
DMP6110SSS-13Diodes Incorporated
FDS86267PFairchild Semiconductor
MCQ05P10Y-TPMicro Commercial Co
SISS73DN-T1-GE3Vishay Siliconix
