APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2264650-APT9M100S
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
APT9M100S
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D3PAK | |
| Número do produto base | APT9M100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | POWER MOS 8™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2605 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 335W (Tc) | |
| Outros nomes | 150-APT9M100S |
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