IRF520NPBF

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MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2263517-IRF520NPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF520NPBF

Embalagem padr?o:

100

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	IRF520
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	48W (Tc)
Outros nomes	SP001571310 2156-IRF520NPBF *IRF520NPBF IFEINFIRF520NPBF