STL3N65M2
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Número da pe?a NOVA:
312-2285673-STL3N65M2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STL3N65M2
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerFlat™ (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | STL3 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ M2 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 22W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-18738-6 497-18738-2 497-18738-1 STL3N65M2-ND |
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