IRF3205LPBF

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MOSFET N-CH 55V 110A TO262

Número da pe?a NOVA:

312-2263674-IRF3205LPBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRF3205LPBF

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-262
Número do produto base	IRF3205
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	110A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	146 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	55 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3247 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	200W (Tc)
Outros nomes	SP001564458 *IRF3205LPBF