FCD850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288562-FCD850N80Z
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FCD850N80Z
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:

N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-252AA
Número do produto base FCD850
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesSuperFET® II
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1315 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.) 75W (Tc)
Outros nomesFCD850N80ZDKR
FCD850N80ZDKR-ND
FCD850N80ZTR
FCD850N80ZCT
FCD850N80ZDKRINACTIVE

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