RSQ015P10TR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Número da pe?a NOVA:
312-2301408-RSQ015P10TR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RSQ015P10TR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 100 V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número do produto base | RSQ015 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 600mW (Ta) | |
| Outros nomes | RSQ015P10TRCT-ND RSQ015P10MGTR RSQ015P10TRDKR RSQ015P10CT RSQ015P10TRDKR-ND RSQ015P10TRCT RSQ015P10DKR |
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