IXTY1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2283360-IXTY1R6N100D2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTY1R6N100D2
Embalagem padr?o:
70
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
| Número do produto base | IXTY1 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Depletion | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
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