EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Número da pe?a NOVA:
312-2263137-EPC2010C
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2010C
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 22A (Ta) - Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Die Outline (7-Solder Bar) | |
| Número do produto base | EPC2010 | |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 22A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | Die | |
| Vgs (Máx.) | +6V, -4V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | - | |
| Outros nomes | 917-1085-1 917-1085-2 917-1085-6 |
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