FQB50N06LTM
MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2288176-FQB50N06LTM
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FQB50N06LTM
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 52.4A (Tc) 3.75W (Ta), 121W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D²PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | FQB50N06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | QFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 52.4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 26.2A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1630 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.75W (Ta), 121W (Tc) | |
| Outros nomes | FQB50N06LTMFSTR FQB50N06LTMFSDKR FQB50N06LTM-ND FQB50N06LTMFSCT |
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