FQP12P20
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO220-3
Número da pe?a NOVA:
312-2288986-FQP12P20
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FQP12P20
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
| Número do produto base | FQP12 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | QFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 5.75A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 120W (Tc) | |
| Outros nomes | ONSFQP12P20 2156-FQP12P20-OS |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
TC4431CPAMicrochip Technology
SBYV27-200-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FQP9P25onsemi- FQP19N20onsemi
IRFP9240PBFVishay Siliconix- FQP47P06onsemi
FDPF20N50onsemi- FQP32N20Consemi