IPP60R160P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3-1
Número da pe?a NOVA:
312-2271233-IPP60R160P7XKSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPP60R160P7XKSA1
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 81W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO220-3-1 | |
| Número do produto base | IPP60R160 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ P7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 6.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 350µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1317 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 81W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001866174 448-IPP60R160P7XKSA1 |
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