IRFH5302TRPBF

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PQFN (5x6) Single Die
Número do produto base	IRFH5302
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	32A (Ta), 100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 100µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	76 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4400 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	3.6W (Ta), 100W (Tc)
Outros nomes	IRFH5302TRPBFDKR SP001575636 IRFH5302TRPBFCT IRFH5302TRPBFTR 2156-IRFH5302TRPBF IRFH5302TRPBF-ND INFINFIRFH5302TRPBF

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