SI2301BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2284527-SI2301BDS-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2301BDS-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SI2301 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 375 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI2301BDS-T1-GE3TR SI2301BDS-T1-GE3DKR SI2301BDS-T1-GE3-ND SI2301BDS-T1-GE3CT |
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