RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Número da pe?a NOVA:
312-2292202-RQ3E120BNTB
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ3E120BNTB
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
| Número do produto base | RQ3E120 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta) | |
| Outros nomes | RQ3E120BNTBCT RQ3E120BNTBDKR RQ3E120BNTBTR |
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