BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2280738-BSC100N06LS3GATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC100N06LS3GATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 12A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-5 | |
| Número do produto base | BSC100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 50A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 23µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3500 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC100N06LS3 GTR SP000453664 BSC100N06LS3 G-ND BSC100N06LS3GATMA1DKR BSC100N06LS3GATMA1TR BSC100N06LS3 GDKR BSC100N06LS3 GCT BSC100N06LS3G BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 GCT-ND BSC100N06LS3 GTR-ND BSC100N06LS3 GDKR-ND BSC100N06LS3GATMA1CT BSC100N06LS3GATMA1DKR-NDTR-ND |
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