BSZ0910LSATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8 FL
Número do produto base	BSZ0910
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™ 5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	18A (Ta), 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 37W (Tc)
Outros nomes	SP005424269 448-BSZ0910LSATMA1CT 448-BSZ0910LSATMA1TR 448-BSZ0910LSATMA1DKR

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