NTTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2287687-NTTFS5116PLTWG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTTFS5116PLTWG
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta) 3.2W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-WDFN (3.3x3.3) | |
| Número do produto base | NTTFS5116 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerWDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1258 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.2W (Ta), 40W (Tc) | |
| Outros nomes | NTTFS5116PLTWGOSCT NTTFS5116PLTWG-ND NTTFS5116PLTWGOSTR NTTFS5116PLTWGOSDKR |
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