STL57N65M5
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Número da pe?a NOVA:
312-2263528-STL57N65M5
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STL57N65M5
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) 2.8W (Ta), 189W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerFlat™ (8x8) HV | |
| Número do produto base | STL57 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ V | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.8W (Ta), 189W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-13520-1 497-13520-2 497-13520-6 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SIHH068N60E-T1-GE3Vishay Siliconix
NTMT064N65S3Honsemi
BZT55C12-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
LT3090IDD#PBFAnalog Devices Inc.