TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Número da pe?a NOVA:
312-2273323-TPC6111(TE85L,F,M)
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPC6111(TE85L,F,M)
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 20 V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | VS-6 (2.9x2.8) | |
| Número do produto base | TPC6111 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | U-MOSV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.8A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 700mW (Ta) | |
| Outros nomes | TPC6111TE85LFDKR TPC6111(TE85L,F) TPC6111TE85LFDKR-ND TPC6111TE85LFCT TPC6111TE85LFTR TPC6111(TE85LFM)CT TPC6111(TE85LFM)TR TPC6111(TE85LFM)DKR TPC6111TE85LFCT-ND TPC6111TE85LFTR-ND TPC6111TE85LFM |
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