BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2283018-BSC082N10LSGATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC082N10LSGATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-1 | |
| Número do produto base | BSC082 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13.8A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 110µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 104 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7400 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 156W (Tc) | |
| Outros nomes | BSC082N10LSGATMA1TR BSC082N10LSGXT SP000379609 BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LS GDKR-ND BSC082N10LS GCT-ND BSC082N10LSGATMA1CT BSC082N10LS G-ND BSC082N10LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC082N10LS GCT BSC082N10LSG BSC082N10LS G BSC082N10LS GDKR BSC082N10LSGATMA1DKR |
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