BSZ031NE2LS5ATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TSDSON-8-FL
Número do produto base	BSZ031
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	19A (Ta), 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18.3 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	25 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1230 pF @ 12 V
Dissipação de energia (máx.)	2.1W (Ta), 30W (Tc)
Outros nomes	448-BSZ031NE2LS5ATMA1DKR SP001385378 BSZ031NE2LS5ATMA1-ND 448-BSZ031NE2LS5ATMA1CT 448-BSZ031NE2LS5ATMA1TR

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