2SJ649-AZ
MOSFET P-CH 60V 20A TO220
Número da pe?a NOVA:
312-2305468-2SJ649-AZ
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
2SJ649-AZ
Embalagem padr?o:
25
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220 Isolated Tab | |
| Número do produto base | 2SJ649 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 Isolated Tab | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2W (Ta), 25W (Tc) |
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