SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2284850-SI2304BDS-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2304BDS-T1-E3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 30 V 2.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SI2304 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 750mW (Ta) | |
| Outros nomes | SI2304BDS-T1-E3CT SI2304BDS-T1-E3TR SI2304BDS-T1-E3DKR SI2304BDST1E3 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SI2307CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
IRLML2803TRPBFInfineon Technologies
DMN3404L-7Diodes Incorporated- SI2304DDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI2304BDS-T1-GE3Vishay Siliconix
MGSF1N03LT1Gonsemi
CC1310F128RHBRTexas Instruments
RB168MM-40TFTRRohm Semiconductor- ZXM61N03FTADiodes Incorporated
