IPDD60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A HDSOP-10
Número da pe?a NOVA:
312-2299056-IPDD60R080G7XTMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPDD60R080G7XTMA1
Embalagem padr?o:
1,700
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-HDSOP-10-1 | |
| Número do produto base | IPDD60 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ G7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 29A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 9.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 10-PowerSOP Module | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 174W (Tc) | |
| Outros nomes | IPDD60R080G7XTMA1CT IPDD60R080G7XTMA1TR IFEINFIPDD60R080G7XTMA1 SP001632824 IPDD60R080G7XTMA1DKR 2156-IPDD60R080G7XTMA1 |
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