STL9N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Número da pe?a NOVA:
312-2288158-STL9N60M2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STL9N60M2
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerFlat™ (5x6) HV | |
| Número do produto base | STL9 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | MDmesh™ II Plus | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 860mOhm @ 2.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±25V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 600 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 320 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 48W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-14970-2 497-14970-1 497-14970-6 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STL3NK40STMicroelectronics
IPN80R750P7ATMA1Infineon Technologies
TPN2010FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage- STL12N60M2STMicroelectronics
BSZ42DN25NS3GATMA1Infineon Technologies