DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Número da pe?a NOVA:
312-2285267-DMT10H072LFDFQ-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMT10H072LFDFQ-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| Número do produto base | DMT10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 228 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) | |
| Outros nomes | 31-DMT10H072LFDFQ-7TR 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR 31-DMT10H072LFDFQ-7CT |
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