ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
Número da pe?a NOVA:
312-2302100-ISP12DP06NMXTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
ISP12DP06NMXTSA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
P-Channel 60 V 2.8A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT223-4 | |
| Número do produto base | ISP12DP06 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.8A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 520µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.2 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 30 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) | |
| Outros nomes | SP004987268 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
ISP13DP06NMSATMA1Infineon Technologies