C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2289887-C3M0065090J-TR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0065090J-TR
Embalagem padr?o:
800
Ficha técnica:
N-Channel 900 V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK-7 | |
| Número do produto base | C3M0065090 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | C3M™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 5mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Máx.) | +19V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 900 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 600 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 113W (Tc) | |
| Outros nomes | 1697-C3M0065090J-DKR C3M0065090J-TR-ND 1697-C3M0065090J-CT 1697-C3M0065090J-TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.
C3M0065100J-TRWolfspeed, Inc.
C3M0060065JWolfspeed, Inc.
C3M0065090JWolfspeed, Inc.
C3M0065090DWolfspeed, Inc.