IRF530A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Número da pe?a NOVA:
312-2274925-IRF530A
Número da pe?a do fabricante:
IRF530A
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220-3
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)-
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 55W (Tc)
Outros nomesFAIFSCIRF530A
2156-IRF530A

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