IPB054N08N3GATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3
Número do produto base	IPB054
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	80A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4750 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	150W (Tc)
Outros nomes	IPB054N08N3 GCT-ND SP000395166 IPB054N08N3GATMA1CT IPB054N08N3 GDKR IPB054N08N3GATMA1TR IPB054N08N3GATMA1DKR IPB054N08N3 GTR-ND IPB054N08N3 G IPB054N08N3 GDKR-ND IPB054N08N3 G-ND IPB054N08N3 GCT IPB054N08N3G

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