C3M0280090D
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264625-C3M0280090D
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0280090D
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
N-Channel 900 V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
| Número do produto base | C3M0280090 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | C3M™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5 nC @ 15 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | +18V, -8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 900 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 600 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 54W (Tc) |
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