SIHP25N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2283378-SIHP25N40D-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIHP25N40D-GE3
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | SIHP25 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 25A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 400 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1707 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 278W (Tc) | |
| Outros nomes | SIHP25N40DGE3 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IRFP360PBFVishay Siliconix
IXFP56N30X3IXYS