IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2285528-IRFL4105TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFL4105TRPBF
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 55 V 3.7A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | IRFL4105 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.7A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.7A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 55 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
| Outros nomes | IRFL4105TRPBF-ND IRFL4105TRPBFTR SP001551996 IRFL4105TRPBFCT INFIRFIRFL4105TRPBF 2156-IRFL4105TRPBFINF IRFL4105TRPBFDKR |
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