TP65H035G4WSQA

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650 V 46.5 GAN FET

Número da pe?a NOVA:

312-2299701-TP65H035G4WSQA

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

TP65H035G4WSQA

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Transphorm
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-247-3
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Series	*
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	47.2A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.)	187W (Tc)
Outros nomes	1707-TP65H035G4WSQA