DMP1100UCB4-7
MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Número da pe?a NOVA:
312-2265308-DMP1100UCB4-7
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
DMP1100UCB4-7
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount X2-WLB0808-4
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | X2-WLB0808-4 | |
| Número do produto base | DMP1100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.5A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.3V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-XFBGA, WLBGA | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 12 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 6 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 670mW (Ta) | |
| Outros nomes | DMP1100UCB4-7DICT DMP1100UCB4-7DITR DMP1100UCB4-7DIDKR |
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